диффузия базы

См. также в других словарях:

• диффузия для формирования базы — bazės difuzija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. base diffusion vok. Basisdiffusion, f rus. базовая диффузия, f; диффузия для формирования базы, f pranc. diffusion de base, f …   Radioelektronikos terminų žodynas

• диффузия для формирования стандартных базы и резистора — tipinė bazės ir varžo difuzija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. standard base and resistor diffusion vok. Einheits Basis und Widerstands Diffusion, f rus. диффузия для формирования стандартных базы и резистора, f pranc.… …   Radioelektronikos terminų žodynas

• базовая диффузия — bazės difuzija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. base diffusion vok. Basisdiffusion, f rus. базовая диффузия, f; диффузия для формирования базы, f pranc. diffusion de base, f …   Radioelektronikos terminų žodynas

• Изобретение транзистора — Основная статья: Транзистор Макет точечного транзистора Бардина и Браттейна. Треугольник в центре  прозрачная призма, по рёбрам которой приклеены полоски фольги  выводы коллектора и эми …   Википедия

• ТРАНЗИСТОР — полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления электрического тока и управления им. Транзисторы выпускаются в виде дискретных компонентов в индивидуальных корпусах или в виде активных элементов т.н. интегральных схем, где их размеры не… …   Энциклопедия Кольера

• P — n-переход — (n  negative  отрицательный, электронный, p  positive  положительный, дырочный), или электронно дырочный переход  разновидность гомопереходов, Зоной p n перехода называется область полупроводника, в которой имеет место… …   Википедия

• Р — n-переход — p  n переход (n  negative  отрицательный, электронный, p  positive  положительный, дырочный), или электронно дырочный переход  разновидность гомопереходов, область полупроводника, в которой имеет место пространственное изменение типа проводимости …   Википедия

• Электронно-дырочный переход — p  n переход (n  negative  отрицательный, электронный, p  positive  положительный, дырочный), или электронно дырочный переход  разновидность гомопереходов, область полупроводника, в которой имеет место пространственное изменение типа проводимости …   Википедия

• ТРАНЗИСТОР БИПОЛЯРНЫЙ — (от лат. bi двойной, двоякий и греч. polos ось, полюс) один из осн. элементов полупроводниковой электроники. Создан в 1948 Дж. Бардином (J. Bardeen), У. Браттейном (W. Brattain) и У. Шокли (W. Shockley) (Нобелевская премия по физике, 1956).… …   Физическая энциклопедия

• Микроэлектроника —         область электроники (См. Электроника), занимающаяся созданием электронных функциональных узлов, блоков и устройств в микроминиатюрном интегральном исполнении. Возникновение М. в начале 60 х гг. 20 в. было вызвано непрерывным усложнением… …   Большая советская энциклопедия

• ТИРИСТОР — трёхэлектродный полупроводниковый прибор, состоящий из трёх p n переходов, взаимодействие между к рыми приводит к тому, что прибор может находиться в одном из двух устойчивых состояний: выключенном с высоким сопротивлением и включённом с низким.… …   Физическая энциклопедия